Crossbar的转换器在2014年年底的IEDM上进行了展示，它实现了有报告以来最高的选择率（10的10次方），低于5mV/dec的极锐斜率，超过100M周期的耐久性，以及低于300摄氏度的处理温度，解决了潜泄通路问题，从而解决了潜泄通道问题，开奖，体现了商用可行性。Crossbar的转换器是第一个解决了这一设计挑战的解决方案，为在单芯片上实现TB字节级别的存储成为现实铺平了道路，从而使得ReRAM成为领先的下一代NAND内存替代品。

　　能耗

　　CrossbarReRAM技术将简化掉多个数据存储部件和SSD或者其他类似数据存储解决方案中的控制器之间的数据读写管理。减少后台内存操作的数量有助于提高数据存储设备的性能和耐久性，但也降低了SSD控制器的功耗和对DRAM的使用，以及数据存储部件在进行读写时的功耗。

　　在内存单元层面，CrossbarReRAM提升了编程性能和功耗效率。它实现了64pJ/cell的编程功耗，与NAND闪存相比这是20倍的提升。

　　可制造性和可扩展性

　　CrossbarReRAM包含简单的双端器件，能够被整合到后端金属层，从而成为替代NAND闪存的完美、低成本解决方案。毫无疑问，平面MLC/TLC NAND正面临扩展性的挑战，而其性能在10 纳米尺寸也将有所减损。当20纳米级别的3D NAND开始被考虑成为平面NAND的替代品时，3D NAND技术在进入10纳米尺寸级别时将面临同样的可扩展性挑战和性能减损。

　　从单元角度来看，电阻式内存元件在设备面积减小时仍会产生同样的导通电流，但是关闭电流会被降低。导通电流和关闭电流的比率通常从几百到超过1000。它也改善了传感范围，使得以更少的复杂CMOS外设电路进行传感以及在更小的技术尺寸实现MLC/TLC成为可能。Crossbar ReRAM丝基电阻式内存元件能把单元尺寸扩展到10纳米以下。

　　有两项工艺参数非常重要——转换材料的膜厚（TSL）和转换电极的关键尺寸（CD）。这些参数通过使用当今最尖端的制造设备可以很容易地得以控制，包括当今20-40纳米尺寸晶圆代工厂中所使用的光刻、PECVD薄膜沉积、以及金属刻蚀机台。

　　CrossbarReRAM能够使用与制造基于CMOS的外设电路一样的整套设备，内存元件可以在低温工艺下嵌入。ReRAM单元嵌入的热预算不会对CMOS器件性能产生影响。取决于内存的种类，ReRAM层通常可以在多达16个堆栈的热预算下正常工作，而不会给器件性能带来显著的改变。3D ReRAM堆栈与3D NAND堆栈截然不同，它可以非常容易地使用后端整合来实现。

ReRAM的应用前景

　　2016年Crossbar 获得了8000万美元的风投，其中包括来自中国风险投资公司北极光创投的支持，北极光创投董事总经理杨磊博士也对ReRAM技术做出了高度评价，他认为，ReRAM让存储的软硬件控制系统变得非常简单。

　　而ReRAM技术的高可靠性、高读写速度、大存储量和耐久性这些特性使得它的应用场景非常广泛，相信随着未来ReRAM成为主流，高效的存储器将有助于实现不同设备之间更加智能的连接，而这对人工智能、云计算、大数据、无人驾驶、物联网等方方面面都将产生深远的影响，若问未来是什么样子，答案或许会在ReRAM里面。

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