在众多不同的ReRAM实现方法中，它们采用不同的转换材料和内存单元结构。不同的材料所具有的不同特性也会导致显著的性能差异。ReRAM技术最大的难题在于克服温度灵敏度、与标准CMOS技术和制造工艺的整合以及每一个ReRAM单元的选择机制。

　　ReRAM已经成为大家竞相看好的项目，一些公司声称会在未来的1-2年实现ReRAM芯片的样片生产。

　　CrossbarReRAM技术的存储介质是包裹绝缘性非晶硅（a-Si）的金属丝。其基于电子场的转换机制使得Crossbar ReRAM单元能够在较广的温度范围内稳定工作。

　　CrossbarReRAM的单元结构简单，所采用的材料、工艺步骤和制造工具都是通用的，这使得任何一家半导体代工厂都能够通过得到Crossbar ReRAM技术授权的方式来开展内存业务，制造存储级内存芯片。

　　ReRAM内存的性能和比特/尺寸密度取决于内存单元的内联方式。嵌入式低延滞、高速内存可以通过用一个晶体管对每一个内存单元进行单独控制来实现。在1T1R（每1个ReRAM单元有一个晶体管）的阵列组织结构中，内存的总体积由每一个晶体管的体积所决定。高密度存储级内存则需要有一个密度高得多的内存阵列组织架构，并以此来实现成本效益最优化，这就要求能够用一个单一的晶体管来连接成千上万的内存单元。这种1TnR组织结构只有当ReRAM单元的内置的选择机制可以单独地或者不指定地选择ReRAM单元时才有可能实现。

Crossbar ReRAM I/V曲线（1T1R和1TnR）

　　与传统的NAND闪存相比，CrossbarReRAM速度快的多、位元可修改并且只需要更低的电压，这使得它可以被应用于嵌入式和SSD设备之中。Crossbar ReRAM技术的多面性使得内存单元在1T1R阵列中相联时能够实现非常低延滞的内存读取，或在交点1TnR阵列中实现面积最优（4F2单元），这都要归功于Crossbar已经申请专利的内置选择技术。

　　CrossbarReRAM技术的易制造性已经被在代工厂制造的工作阵列所证明。这一工作芯片是将单片CMOS控制器和内存阵列芯片整合在一起。公司目前正在完成这一器件的优化，并计划将第一个产品推向嵌入式SoC市场，同时还将继续在先进的制程工艺基础上推进高密度存储级内存阵列的研发。

　　CrossbarReRAM的优势

　　到目前为止，还没有一个切实可行的NAND的替代技术，而Crossbar的ReRAM则有机会把握住这一市场价值超过400亿美元的机遇。Crossbar仍在研制中的ReRAM技术已经取得了显著的商业化进展，只要保持这一优势，他们将能够搭建一个具有成本效益的、多层级的ReRAM市场，从而超越3D NAND等竞争对手。

Alan Niebel

Webfeet Research创始人兼CEO

　　Crossbar不声不响地带来了一个极具吸引力的、全新的替代性存储器技术。他们解决方案的关键是将ReRAM内置于存储单元之中，不像其它ReRAM技术还需要一个单独的外部设备，这无疑会带来噪音等诸多问题。而这也就会显示出Crossbar方案的极大优势。

Jim Handy

Objective Analysis总监

　　CrossbarReRAM技术基于一个简单的结构，采用CMOS工艺常用的材料以及标准的制造工艺，无需任何特别的机器设备或者材料，就可以很容易地在现有的CMOS工厂进行制造。由于Crossbar ReRAM采用了低温后段制程工艺整合，所以多层Crossbar ReRAM阵列可以被整合到CMOS逻辑晶圆之上，从而创建出3D ReRAM存储芯片。

　　Crossbar ReRAM单元存储介质是包裹绝缘性非晶硅（a-Si）的金属丝，这与在闪存单元里电子存储的形式有很大不同，因为哪怕是少量的电子损耗都会引发可靠性问题，所以锁定电子就变成了一个艰巨的挑战。这也是为什么闪存的性能在较小的制程工艺尺寸上会有所降低的原因。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不会影响设备的性能，并且有望被用于10纳米以下的尺寸。

闪存技术的扩展

Crossbar ReRAM技术的扩展