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由于制程更先进，骁龙 835 在「堆」了超过 30 亿个晶体管的情况下，核心面积比骁龙 820 还要小了 35%。根据高通的说法，由于骁龙 835 的核心面积更小以及核心架构上的优化，这让厂商可以设计出更加轻薄的产品，有助于为产品配备更大容量的电池。此外，高通还表示，骁龙 835 相比上一代产品的整体能耗降低了 25%，这有助于提高智能手机的续航表现。 关于 10 纳米工艺，还有两点值得注意。 第一是根据现有的消息，三星 10 纳米 FinFET 工艺目前的良率还有待提高，这可能会导致骁龙 835 的出货时间晚于预期，而这会直接导致采用骁龙 835 的旗舰机（比如 Galaxy S8）延期上市。 第二是除了代工骁龙 835，三星自家的下一代旗舰 Exynos 8895 用的也是自家的 10 纳米工艺，而且相比骁龙 835，Exynos 8895 的性能表现可能更值得期待。 不出意外，Exynos 8895 也会采用了「4 大 4 小」的 8 核心设计，「小核」架构依旧是公版 Cortex A53，「大核」架构为三星定制的第二代猫鼬（接近 Cortex A73），GPU 部分则可能「丧心病狂」地堆上 20 个 Mali-G71 核心（作为对比，麒麟 960 采用了 8 个 G71）。不过遗憾的是，Exynos 8895 的内置通讯基带依旧不支持 CDMA，在国内无法支持电信的 2G 和 3G 网络。 QC 4 快速充电 在去年 11 月公布骁龙 835 名字的时候，高通就透露了下一代充电协议 Quick Charge 4（简称 QC 4，没有「.0」），并且推出 SMB1380、SMB1381 两个电源管理芯片（峰值效率可以达到 95%）。
相比前三代的 QC，QC 4 的有两个明显的变化，第一是兼容 USB-PD 协议（QC 4 能否算是 PD 的一个分支？），第二是在保留「大电压」快充的基础上，增加了对大电流的支持。 关于 QC 4 具体的充电参数目前还不清楚。不出意外，配合定制的数据线，QC 4 的最大输入电流应该可以达到了 5A 左右，最大功率应该可以达到或接近 30W。类似的「低压大电流」快充已经出现在 OPPO VOOC 闪充、华为 SuperCharge 等手机厂商自家的充电协议中，优势是在使用设备时依然可以保持接近全速的充电，不会像现有的高电压快充方案那样一旦点亮屏幕就立刻降到「慢充」。
关于 QC 4 的充电速度，高通表示，一部电池容量为 2750 毫安时的手机，使用 QC 4 半小时可以从没电充到 50%。 需要说明的是，QC 4 只是充电时的识别协议，即使使用同样的充电协议，充电速度常常会有比较大的区别（比如同为 QC3.0，锤子 M1 最大充电速度可以接近 24W，ZUK Edge 不到 12W），实际的充电速度是手机厂商对电池和充电 IC 选择、充电温度等多种因素的权衡之后的结果。 不过有了 QC 4 这样更先进的充电协议，atv直播，手机厂商在选择快充时留有的空间会更大。可以确定的是，2017 年采用新 SoC 平台的 Android 手机充电会更快，充电时的发热会更小。 谁会首发骁龙 835？ 之前我们预计会是三星的下一代旗舰手机 Galaxy S8，因为毕竟三星是骁龙 835 的代工方，并且在 Galaxy Note7 遭遇重大打击后，Galaxy S8 对三星的意义非同寻常。 不过一天前，华硕表示即将在 CES 上发布的新款 ZenFone 手机将采用「全世界最好的处理器（the world's best processor）」，考虑到华硕发布会的时间正好在高通发布会的后一天，这个「最好的处理器」有可能指的就是骁龙 835。 不过我们推测，即使 ZenFone 真的搭载骁龙 835，也很有可能是「PPT 发布」，类似去年首发骁龙 820 的乐 Max Pro，真正上市的第一款采用骁龙 835 的手机可能还是 Galaxy S8。 至于这款神秘的华硕新机究竟是什么，我们也将奔赴现场，为大家第一时间带来相关的报道。 每年 CES 都被称为下一年里行业的「风向标」，每年 CES 上的新品都让人眼花缭乱。你一定需要个「懂点门道」的人，拨开云山雾绕，帮你看懂所谓的「黑科技」。 知乎 Live 传送门（识别二维码即可） 1 月 6 、7 日 15:00 开始，极客公园会将 CES 的所见、所思分享在知乎 Live 上，第一时间直达同样关注科技趋势潮流的你。 届时极客公园的 CEO & 创始人张鹏会不定期出现，说不定，还会拉来一两个「神秘大佬」，一起来聊聊未来的科技走向。 (责任编辑：本港台直播) |
