用不了多久，你就能在短短5分钟的时间内让你的手机获得5小时的续航时间了。

　　高通公司在美国当地时间本周四（11月17日）发布了第四代快充技术Quick Charge 4。它的发布是为下一代旗舰处理器骁龙835做的准备。

　　高通公司的高级产品管理总监Everett Roach在周三的骁龙科技峰会上说，第四代快充技术可以让手机充电 5 分钟获得高达 5 小时的电池续航时间。

　　Everett Roach表示，“我们在新产品上投入了巨大的精力，只是为了给用户提供更好的充电体验。”

　　因为充电技术是内置在骁龙处理器中，所以你必须使用配置骁龙835 的手机才能体验到第四代快充技术的强大性能（高通公司并没有透露哪些公司会使用这个芯片）。

　　高通虽然没有着力宣传新处理器，但根据其后公布了一些产品细节来看。骁龙835将基于三星10纳米10LPE FinFET制程工艺，而上一代产品骁龙821则是基于14纳米工艺。三星则表示，新的工艺将使处理器尺寸减小30%、性能提升27%，同时还能降低约40%的能耗。

　　高通产品管理副总裁KeithKressin（左）和三星高级副总裁Ben Suh（右）手中拿着的就是最新的旗舰芯片骁龙835。

　　高通并未将 835 与 821 进行性能和能耗对比，但很明显，新的产品将更快更省电。目前，高通最新旗舰芯片骁龙835现在开始量产，搭载该芯片的设备预计于明年上半年面世。

　　芯片是高通的，j2直播，系统是谷歌的，OEM们很为难

　　Quick Charge目前是一种通过USB线缆传输高电压与电流，来对电池进行快速充电的专利技术。由于这项技术是基于非标准信号及非标准USB连接，因此导致了各种兼容性问题。

　　也正是因为这个原因，谷歌最新发布的《安卓兼容性定义文档》（Android Compatibility Definition Document）中强烈建议OEM厂商不要使用Quick Charge技术，矛头直指以高通Quick Charge为代表的第三方快速充电技术。例如，谷歌刚刚发布的Pixel手机就使用了USB-PD充电协议。

　　谷歌与高通关于快速充电技术的兼容性问题其实早有交锋。今年上半年，一名谷歌工程师发表文章称，基于Type-C接口的Quick Charge快充技术不够安全。对此高通的回应是：Quick Charge快充技术独立于接口，可以部署在多种接口的设备上，包括USB Type-A、USB micro、USB Type-C等。

　　OEM厂商选择使用Quick Charge快充技术的时候，完全可以在USB Type-C标准的范围内自行定制充电电压。而且当前使用USB Type-C型接口的手机中，大多数确实都采用了高通的Quick Charge快充技术。

　　面对谷歌的强势，高通显然做好了接招的准备：除了大大缩短充电时间，还将兼容谷歌力推的USB-PD（USB电力传输）。这意味着，配备Quick Charge 4的设备不仅能享受更快的充电速度，还不会与谷歌的标准产生冲突。

　　根据高通统计的数据，目前有超过100家手机厂商在使用Quick Charge快充技术。鉴于现阶段高通对手机厂商的影响力更为强大，谷歌的策略能否顺利实施还很难说。

　　但高通虽然占得先机，也并不代表着Quick Charge快充技术的前景会一帆风顺。在2016年10月举办的USB 开发者大会上，就有与会专家明确表示高通搭载高通快充技术的设备有可能无法通过USB-IF认证，这也给Quick Charge快充技术的未来蒙上了一层阴霾。

　　电池技术无突破，只有忍耐更长时间充电

　　电池的续航问题一直是用户的痛点，而且在手机、平板电脑的屏幕越来越大、性能越来越强的同时问题变得日益严重。根据高通公司的调查显示，快充已经成为61%手机消费者的优先选择。