【PConline 资讯】据瑞典研究员的最新报告显示，目前已经找到了一种可以极大提高磁存储速度的方法，这项新技术或许将在未来应用在计算机上，以高速的磁内存来提升计算机速度，减少系统启动时间。

　　瑞士苏黎世联邦理工大学材料系教授彼得罗·甘巴尔代拉领导的团队在新一期英国《自然·纳米技术》杂志上发表报告说，利用被称为“自旋轨道转矩”的物理现象，可以不用通电线圈，仅用通电的特殊半导体薄膜材料就能改变存储介质的磁性，从而实现磁存储。该团队用新方法改变了一个直径约500纳米的钴金属点的磁性，发现在给其附近的导线通电后，在不到1纳秒的时间内，钴金属点的磁性就发生了改变。值得一提的是，钴金属点可以如此反复经历上万亿次的磁性变化，因此具有成为高速耐用存储介质的可能。

　　磁盘存储器的历史可以追溯到1956年IBM推出的一款型号为IBM350RAMA的设备，这套系统的总容量只有5MB，共使用了50个直径为24英寸的磁盘。20世纪80年代末期，IBM公司又发明了MR磁阻磁头，这项发明使得盘片的存储密度比以往提高了数十倍，也正是在3.5英寸硬盘上使用了MR磁头，让硬盘容量进入了GB数量级的时代，磁存储器也以其长寿低成本的优势，atv，一直被用来作为存储设备来使用。

　　但随着计算机的发展，这种存储技术的速度已经跟不上越来越快的计算机处理器。与传统线圈方式的磁存储器相比，新方法不仅速度快，还不会因为线圈的电阻而消耗能量，能效更高。如果该技术未来可以应用在计算机领域，想必在计算机速度上会带来极大的改善，磁存储可以在断电后仍然保留数据，而且还可以大大减少开机启动的时间。