Intel联合创始人之一的戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律，50多年来这个黄金法则主导了硅基半导体的发展规律，Intel也是摩尔定律最坚定的捍卫者。

不过从14nm节点开始，依托于摩尔定律的Intel Tick-Tock战略就已经变了，升级周期从2年变成3年，14nm工艺实际上要战四代处理器了（8代酷睿的性能将比Kaby Lake提升15%，依然采用的是14nm工艺）。

尽管Intel一直嘴硬说摩尔定律未灭，但传统半导体这几年内确实面临着很大挑战，atv，IRDS（设备与系统国际路线图）日前发布的一份报告则给CMOS电路判了死刑——2024年它就会终结了。

IRDS是IEEE电子和电子工程师协会设立的一个组织，从1965年开始每年都会发布一份半导体领域中技术路线图，之前叫做ITRS路线图，去年被IEEE重命名为IRDS，这样可以更全面地反应各种系统级新技术。

本年度的IRDS路线图完整版要到11月份才会发布，现在发布是白皮书，但是这次的报告已经足够引起轩然大波了，因为它预测传统CMOS电路在2024年就要终结了，这又是怎么回事呢？

Intel从22nm工艺、TSMC/三星/GF则是从16/14nm节点开始使用FinFET工艺，今年的工艺会发展到10nm，下一代则是7nm，TSMC、三星还提出了5nm工艺路线图，Intel这边就比较谨慎，5nm进展尚未公布。

从IRDS路线图中可以看到，2015年16/14nm节点开始进入FinFET工艺，一直到2021年下下代的5nm节点FinFET工艺都会存在，但是2019年就会开始应用新的GAA（gate-all-around，环绕栅极）晶体管结果，2024年的4/3nm节点则会完全取代FinFET结构，这也是为什么这份报告出来之后引起热议的原因，它代表着传统CMOS电路在2024年走到尽头了。

从2024年开始，未来的半导体工艺虽然还会有2.5nm、1.5nm线宽之分，但是再看下后面的红字部分，这几种新工艺的栅极距等指标是没有变化的，也就是说晶体管并不会一直缩小，在5nm节点就已经没啥变化了。

CMOS电路在2024年终结不代表半导体技术就没有发展了，IRDS白皮书中也提到了新的发展方向，包括使用新的半导体材料和工艺，比如使用Ge（锗）取代硅基半导体，它的电子迁移率比硅更高，电气性能更好。还有就是3D工艺，这跟目前的NAND闪存发展过程有些相似，平面NAND闪存在16/15nm节点之后就步入瓶颈期，但是厂商开发了3D NAND闪存，未来的逻辑半导体芯片也会走上3D堆栈工艺。

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