去年11月，高通联合三星正式发布了全新一代的旗舰处理器骁龙835，当时已知其首发三星10nm FinFET工艺，还支持QC4.0快充标准。同时高通方面表示，骁龙835将于今年上半年开始正式上市。在此之前，其还将亮相本周举行的CES2017。

　　日前，外媒Videocardz曝光了这一处理器的详细规格的PPT，基本上对骁龙835我们已经知道的非常清楚了。

　　首先，直播，骁龙835搭载了全新的Kryo 280架构八核心设计，四个大核心主打性能，最高主频为2.45GHz，四个小核心主打续航，最高主频为1.9GHz。PPT显示，骁龙835在app启动时间、网页浏览和VR方面提升20%。

　　另外，骁龙835还带来X16 LTE基带，并整合Adreno 540 GPU、Hexagon 690 DSP等。其中，GPU方面提供了DX12、OpenGL ES和Vulkan应用的前沿性的3D画面支持。DPU/VPU方面其将支持10位4K视频。

　　上面说到了骁龙835将首次采用10nm制程，三星第二代FinFET工艺，尺寸和体积相比骁龙820更小，并将带来续航方面的提升。

　　另外，其相比骁龙801将在功耗上减少50%，相比骁龙810而言也提升显著。

　　事实上，运行该处理器的测试机型的跑分之前也已在网络上曝光。从测试成绩来看，其多核心相比目前骁龙820成绩提升较为显著，而单核心分数则提升不大。当然，j2直播，由于是测试机型，不排除其还有提升空间。

　　预计搭载骁龙835的今年首批旗舰，包括三星GALAXY S8、LG G6、小米6、HTC 11等。其中，三星S8可能推迟至4月发布，LG G6、HTC 11将有望在MWC 2017上亮相。你对高通骁龙835还满意吗？