今天,高通官方宣布,将使用三星的10nm FinFET打造自家的新旗舰处理器: 骁龙835 高通表示,与上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
因此,通过10nm工艺加持,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,j2直播,在一定程度上能够方便手机厂商节省机身内部空间,获得更合理的主板布局方式。 目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。 此外,高通宣布骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中,骁龙835正是其后续产品。 但遗憾的是,高通目前并没有公布骁龙835的具体规格。 在宣布骁龙835之后,高通官方又宣布了新一代快速充电技术骁龙QC 4.0。 按照高通的说法,QC 4.0加入了Dual Charge技术,相比QC 3.0来说,充电速度可提升20%,效率则能提升30%。同时,QC 4.0还加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。
高通产品管理高级副总裁Alex Katouzian表示,j2直播,QC 4.0能在大约15分钟或更短时间内,充入高达50%的电池电量。 此外,QC 4.0还加入了最佳电压智能协商电源管理算法(INOV),将能够在既定的散热条件下,自主确定并选择最佳的电力传输水平,从而优化充电。 另一方面,QC 4.0能在更准确地测量电压、电流和温度的同时,保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电,并在每个充电周期调节电流。 我才625,你已经835了 近期文章精选:
▼ 商务合作 [email protected] 欢迎大家留言,说出你的观点,精彩的上墙 (责任编辑:本港台直播) |