众所周知，中国是智能电子设备的制造大国和消费大国。在美国、欧洲、非洲各地都能看到有中国特色的手机和电脑卖的红红火火；每年在拉斯维加斯举办的全球消费电子展CES上也都挤满了各个领域的中国厂商。然而，手机、电脑产的多卖的好并不代表中国在基础的半导体行业上就赶上了领先国家，而恰恰我们的大部分产品都还在用别人家的芯片和存储器。

　　而近几年，中国政府对于半导体行业的支持力度相当大。国务院曾在2014年6月颁发了《国家集成电路产业发展推进纲要》，要实现集成电路行业销售收入从2015年3500亿人民币以每年20%的增速达到2020年约8700亿人民币的目标。

　　那么，纵观全球总产值3500亿美元的半导体市场，哪一领域可能是中国快速提升的突破口呢？

　　作为扎根在硅谷的科技媒体，我们采访了位于圣何塞的半导体技术公司Kilopass的CEO Charlie Cheng，通过他对业界的认知以及其公司的新技术来探讨一种中国半导体企业发展的可能性。

　　（Charlie Cheng）

　　DRAM市场有多重要

　　采访过程中Charlie首先谈到，3500亿美元的半导体市场中储存类产品占据将近1000亿美元的份额，而其中DRAM（动态随机存取存储器）更是占据约500亿美元的份额。如此大的市场，对于中国企业来说无疑有着巨大的开拓潜力。

　　然而，目前DRAM超过90%的市场份额被三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家海外大企业霸占。更重要的是传统DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅在制造上面临挑战，更重要的是被大量专利保护。为了进入DRAM市场，后发的中国厂商必须利用创新的替代方案，以推动竞争升级，争取实现差异化。

　　Kilopass的VLT技术将改变DRAM产业格局

　　2016年10月，Kilopass正式推出垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor, VLT）技术。该技术对于DRAM产业可谓是颠覆性的。

　　（拥有专利的VLT存储器技术）

　　DRAM技术自2010年以来就放缓了前进的步伐，原因是当前基于1个晶体管+1个电容器（1T1C）的存储单元结构不是一个合理的解决方案。摩尔定律不适用于电容！

　　而通过VLT技术，DRAM制造成本将比目前顶尖的20纳米DRAM工艺降低45%。由于采用了垂直方式实现晶闸管架构，VLT使得存储单元变得更加紧凑。另外，VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM的待机功耗可以降低10倍。最为关键的是，VLT无需任何电容，直播，避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突。

　　无需电容，更低成本，更低功耗，不受专利限制，VLT给DRAM产业带来的革新将是意义非凡的，这也或许是中国存储厂商弯道超车的一个极佳机会。

　　中国厂商与Kilopass是很好的双向选择

　　Charlie提到，半导体行业现在有这么一个趋势，就是：大公司合并小公司，越做越大，没有合并下来的就被淘汰。所以，对于DRAM市场的突破，有种说法是可以去合并市场三甲中相对较弱的Micron。然而，这样的事情恐怕美国政府是不会答应的。

　　因此，选择Kilopass的新技术应该是中国厂商的不二选择。Charlie表示，运用VLT技术，被授权商将能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品。而目前，VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成，一块完整的内存测试芯片已于去年5月份成功流片，早期芯片测试也正在进行当中。

　　在突破性技术得到验证后，Kilopass开始着眼于市场战略。Charlie认为，整个产业如果只有三家左右的巨头公司的话，价格将会比较良性。这样，能让市场有够选择同时又不会让市场价格都打坏了。

　　（VLT技术为DRAM业务开启新路径）

　　基于这点，Kilopass将会把其VLT技术选择性地授权给部分厂商，这其中将包括中国的半导体企业。他们希望帮助中国企业能在DRAM市场与三星这样的龙头抗衡，同时有中国政府和企业的支持也能帮助Kilopass自己做到专利的保护。