搜狐科技/吕林轩

　　在高通发布第一次八核CPU骁龙 810“烫”伤自己之后，采用三星10nm FinFET工艺，自研Kryo 280 架构的骁龙835终于在2017年伊始发布。这款芯片已经锁定包括小米6、三星Galaxy S8等多款今年的旗舰新品，而骁龙835的优劣也将直接影响这些旗舰手机。

　　定位绝对旗舰的骁龙 835 搭载了Kryo 280 八核处理器，包括峰值主频可达 2.45GHz 的 4 颗性能核心，以及峰值主频可达 1.9GHz 的 4 颗效率核心。图像处理方面，835 搭载 Adreno 540 GPU，支持 OpenGL ES 3.2、完整的 OpenCL 2.0、Vulkan 和 DX12。

　　835 还集成骁龙 X16 LTE 调制解调器，支持高达 1Gbps 的 Cat 16 下载速度，150Mbps 的 Cat 13 上传速度。

　　骁龙 835还采用了业界领先的三星10nm FinFET工艺，高通骁龙835相比上一代高通骁龙820封装尺寸减小35%，对于高度精密的手机领域这将为其他零部件留足空间。

　　此次骁龙 835 对续航方面作了较大提升。首先与上一代旗舰处理器相比，骁龙 835 的封装尺寸减小 35%，atv，并实现了 25% 的功耗降低。另外，开奖，高通也更新了快充技术，Quick Charge 4.0号称“充电 5 分钟，通话 5 小时”。