高通在 2016 年 11 月的时候，神速发布了骁龙 835 处理器。

　　不过当时，高通并没有公布多少骁龙 835 的细节，只知道“这款处理器是和三星联合开发的，用上了三星 10nm 的制程工艺，全新升级的 QC 4.0 快充将会比上一代 3.0 快充快 20%。骁龙 835 体积将会缩小 30% 以上，同时还能降低 40% 的功耗并提升 27% 的性能。”

　　近日，据高通终于公布了骁龙 835 的细节。

　　除了 10nm 制程工艺，这款处理器 CPU 采用 4×2.45GHz 大核+4×1.9GHz 小核，八核心设计，均为 Kryo 架构，其 GPU 为 Adreno 540。处理器支持 4K 屏、UFS 2.1、双摄像头，以及 LPDDR4x 四通道内存。其基带为 X16，支持 Cat.16。

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　　而关于这款处理器的性能，此前 GeekBench 4.0 已经曝光了疑似骁龙 835 的跑分成绩。

　　这款设备型号显示为 Essential FIH-PM1，可能是工程测试机。GeekBench 显示处理器为八核心，主频为 1.9GHz（非满血版？），RAM 4GB，预装 Android 7.0 系统。之所以说这是骁龙 835 是因为 ARM implementer 81 是高通独家的 Kryo 核心识别码。

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　　此次的单核跑分 1844，多核跑分 5426（仅供参考），单核基本和骁龙 821（一加手机 3T）、麒麟 960（华为 Mate 9 Pro）一致，但虽然为八核，不如目前正值当打之年的麒麟 960。

　　在细节得分中，内存时延和带宽得分都非常高，甚至超过了麒麟 960，可能与用上 LPDDR4X 有关。

　　骁龙 835 早已投入生产，而搭载骁龙 835 的终端将会在 2017 年上半年问世，那么首发的是三星 S8 呢，还是传闻中的小米新机呢？

　　李 谋 (Nemo Lee)相逢意气为君饮，系马高楼垂柳边。

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