今年10月份，三星就率先公布了10纳米工艺的量产，与上代14纳米工艺相比，10纳米可以减少30%的芯片尺寸，开奖，同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。据外媒报道，高通已经宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级处理器骁龙835。

据称骁龙835将采用三星最先进的10nm制造工艺。由于采用全新的10纳米制程工艺，高通方面表示骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。

　　同时高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

除了性能上的提升至外，高通还透露骁龙835处理器还将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术。高通官方称充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，适配范围更广泛。

高通表示，所有使用Snapdragon 835的手机将获得三级电流和四级电压保护，以防止过热。另外，和上一代技术相比，Quick Charge 4.0也将让手机温度降低高达5摄氏度。

　　目前骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。对此业内人士猜测，此次高通与三星合作研发，很可能意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835。

有消息人士透露，三星S8将分别配备5.7英寸和6.2英寸屏幕，提升屏幕尺寸方面，三星主要采用无边框设计和移除底部的Home按钮来提升屏幕尺寸。另外，韩国媒体透露，三星目前没有任何提前发布Galaxy S8的计划。根据早前消息三星S8的发布会时间确定为MWC2017年之前，也就是2017年2月26日前后。另按照此前生产手机的流程，三星现在已经向零组件供应商下订单出货，生产工作会在年底前开始。

news.zol.com.cn true 中关村在线 report 1566 今年10月份，三星就率先公布了10纳米工艺的量产，与上代14纳米工艺相比，10纳米可以减少30%的芯片尺寸，同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。据外媒报道，高通已经宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级处理器骁龙835。高通10nm骁龙835现身（图片来自新浪） 据称骁...