日前，高通推出了下一代旗舰移动处理器骁龙835，和之前传闻一样，atv，命名跳过了骁龙830，原因可能是考虑到了营销方面的需要。

　　骁龙835最大的一个特点是采用了三星10nm FinFET制造工艺，去年发布的骁龙820则是采用三星14nm FinFET工艺。三星是业内最早推出14nm制程芯片的半导体公司，大幅领先台积电等竞争对手，而这次向10nm跨进也实属必然。

　　三星10nm制程芯片于今年10月份开始量产，相对14nm工艺，其将在缩小30%的芯片尺寸的基础上，实现性能27%的提升以及40%的功耗降低。换句话说，全新的10nm工艺将能够在提升手机性能的同时，进一步提升续航能力。

　　另外，骁龙835还带来了Quick Charge 4.0快速充电标准，相比上一代QC 3.0标准，其充电速度提升了20%，充电效率提升了30%。

　　高通方面称，骁龙835已经开始生产，但搭载该处理器的产品上市还要等到明年上半年。不出意外的话，三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗舰将用上首批产品，只是按照惯例三星应该还是会优先拿到大部分新处理器。

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　　值得一提的是，高通并没有释出该处理器的详细规格。但根据之前曝光的信息，其或将采用自研Kryo 200架构的八核心设计，GPU将升级为Adreno 540，内置X16基带，加入LPDDR4X内存，并且最高支持8GB运行内存。

　　在此之前，联发科和华为已经推出了他们的新旗舰产品。其中，联发科Helio X30采用台积电10nm工艺，性能相对X20/25有大幅提升。华为麒麟960则依旧采用16nm制程。另外，三星下一代Exynos 9也会用上自家10nm FinFET工艺，值得期待。