Fig.4 Phosphorescent green OLED architecture and molecular structures of the materials

　　2 实验

　　本实验采用云南北方奥雷德公司开发的SVGA060 硅基背板，在硅片上蒸镀磷光有机发光结构，其中空穴注入层的厚度为300～400.，空穴传输层的厚度为100～200.，发光层厚度为250～350.，掺杂率为15%到20%，电子传输层厚度为250～350.，电子注入层厚度为100～150 .，蒸发速度保持为1 ./s，蒸镀腔室真空度保持在2×10－4 Pa。器件的亮度及光谱由PR-655 光度计测量，电流和电压通过Keithley 2400 测试仪所组成的测试系统测量。

　　3 结果和讨论

　　图5 为器件的电流密度-电压-亮度特性曲线。起亮电压为2.6 V；电流密度为20 mA/cm2 时，电压为4.1V，亮度为4700 cd/m2；电流密度为44mA/cm2 时，电压为4.65V，亮度为10000 cd/m2；器件最大亮度可达20000 cd/m2。

　　更为重要的是，对于OLED 微型显示器而言，由于其驱动电压的工作范围十分有限，要求在较小的电压变化范围内，器件亮度能有大幅的提升。从图5 中可以看到器件亮度从20 cd/m2 到20000 cd/m2 的电压变化幅度仅为2.7 V，能有效满足OLED 微型显示器驱动电压的要求。

图5 电流密度-电压-亮度特性曲线

　　Fig.5 J-V-L characteristics of the green microdisplays

　　图6 为器件电流效率和功率效率随亮度变化的曲线。在亮度值为1500 cd/m2 下，电流效率达到最大值，为24.43 cd/A，相对应的功率效率为21.73 lm/W。随着亮度的增大，电流效率和功率效率都有了不同程度的降低。

图6 器件的电流效率和功率效率随亮度变化曲线

　　Fig.6 The current efficiency and power efficiency of the greenOLED device versus luminance

　　图7 为器件色坐标随电流密度的变化曲线，可以看出，电流密度为20mA/cm2 时，CIEX 为0.286，CIEY为0.665，并且随着电流密度的增加，器件的CIEX 和CIEY 变化较为稳定，这对于高亮显示应用是十分重要的。

图7 器件色坐标随电流密度变化曲线

　　Fig.7 The chromaticity of the green OLED device versus currentdensity

　　图8 为器件在20 mA/cm2 的电流密度下的EL 光谱，可以看出在535 nm 处有一宽带发光峰，该发射峰基本接近人眼最敏感的555 nm 波长的绿光。

图8 器件的EL光谱

Fig.8 EL Spectra of devices

　　图9 为恒流驱动下器件在3200 cd/m2、6000 cd/m2和12000 cd/m2 起始亮度下持续点亮情况下的亮度和时间的归一化曲线。可以看到将亮度和时间归一化后，3 条曲线的重合性较好，说明该器件的工艺较为稳定。